DIOD SIMPANG PN

• Diod simpang PN terhasil daripada percantuman bahan N dan bahan P.
• Semasa proses pembentukan diod,terdapet sejumlah kecil elektron daripada bahan N akan merentasi simpang dan mwngisi lubang yang terdapat pada bahan P.Akibatnya terbentuklah lapisan susutan pada simpang.
• Diod ber keadaan pincang ke depan apabila anodnya disambung ke punca positif bekalan dan katod disambung ke punca negatif.
• Voltan pincang ke depan yang diperlukan ialah voltan sawar yang bernilai 0.7V untuk diod jenis silikon dan 0.3 untuk jenis germanium.Lapisan susutan hilang ciri penebatan,membolehkan arus mengalir melaluinya.
• Apabila anod di sambung ke punca negatif dan katod disambung ke punca positif, ia dipincang songsang.
• Dalam keadaan ini rintangan lapisan susutan meningkat dan menyebabkan arus tidak boleh mengalir melaluinya.
• Jika nilai voltan pincang songsang yang di bekalkan sangat tinggi(lazimnya dalam beberapa ratus volt,bergantung kepada spefikasi),arus akan mengalir dalam litar tersebut.
• Nilai voltan yang membolehkan arus mengalir dalam diod dalam kadaan pincang songsang dinamai votan pecah tebat.